|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 10, страницы 1879–1885
(Mi ftt12148)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
Нестационарная фотоэдс в кристаллах SiC, облученных реакторными нейтронами
М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, Е. В. Мокрушина, Е. Н. Мохов, А. А. Петров, И. А. Соколов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально исследован эффект нестационарной фотоэдс в кристаллах 6H-SiC, подвергнутых облучению реакторными нейтронами. Изучены зависимости амплитуды сигнала от частоты фазовой модуляции, пространственной частоты, интенсивности света и амплитуды внешнего переменного поля. Для объяснения необычной частотной зависимости сигнала использована двухуровневая модель полупроводника, учитывающая присутствие мелких ловушек. Фотоэлектрические параметры кристаллов определены для длины волны света $\lambda$ = 532 nm.
Поступила в редакцию: 07.04.2014
Образец цитирования:
М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, Е. В. Мокрушина, Е. Н. Мохов, А. А. Петров, И. А. Соколов, “Нестационарная фотоэдс в кристаллах SiC, облученных реакторными нейтронами”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 1879–1885; Phys. Solid State, 56:10 (2014), 1939–1946
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12148 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i10/p1879
|
|