Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs

Исследуется оптическое поглощение в металлополупроводниковом метаматериале на основе матрицы AlGaAs. Ключевой особенностью такого материала является наличие хаотических массивов металлических нановключений AsSb, модифицирующих его диэлектрические свойства. Показано, что наличие таких массивов приводит к резонансному поглощению света поверхностными плазмонами в AsSb-нановключениях в диапазоне энергий падающих фотонов 1.37–1.77 eV. В экспериментальном спектре коэффициента экстинкции при энергии 1.48 eV наблюдается резонансный пик, полуширина которого равняется 0.18 eV. По теории Ми выполнен расчет коэффициента экстинкции для нановключений AsSb в матрице AlGaAs. Его спектр также содержит резонансный пик, энергия и полуширина которого равняются 1.48 и 0.18 eV соответственно. Расчетная величина плазменной энергии для свободных нановключений в вакууме составила 7.38 eV.