Исследование магнитных свойств пленок Со, выращенных на модифицированной поверхности Si(111)

Исследованы магнитные свойства и доменная структура эпитаксиальных пленок Со, полученных на модифицированной поверхности Si(111). Вначале были изучены процессы роста наноструктур силицида меди на поверхности Si(111). На поверхности Si(111)–5.55 $\times$ 5.55–Cu формировались кластеры силицида меди при температуре подложки $\sim$550$^\circ$С. Сформированные наноструктуры имеют идеальную огранку, боковые ребра и длинная сторона проволок ориентированы вдоль кристаллографических направлений $\langle$110$\rangle$Si. Затем на сформированные структуры осаждали пленки Со. Исследование коэрцитивной силы и приведенной остаточной намагниченности показало, что пленки Со(111) имеют кристаллографическую анизотропию шестого порядка. Коэрцитивная сила пленок Со, осажденных на слой буфера Сu, в $\sim$6 раз меньше, чем пленок Со, осажденных на поверхности Si(111)–5.55 $\times$ 5.55–Cu и Si(111)–5.55 $\times$ 5.55–Cu/кластеры (Сu–Si).