Диэлектрические свойства тонких пленок частично дейтерированного бетаинфоcфита с крупно- и мелкоблочной структурой

Тонкие сегнетоэлектрические пленки частично дейтерированного бетаинфосфита (DBPI) выращены методом испарения на подложках NdGaO$_3$ с предварительно нанесенной на них системой встречно-штыревых электродов. Блочная структура пленок представляет собой текстуру, в которой полярная ось $b$ ориентирована в плоскости, а ось $a^*$ перпендикулярна плоскости пленки. Типичные размеры монокристаллических блоков в пленках DBPI значительно превышают расстояние между электродами встречно-штыревой системы ($d$ = 50 $\mu$m), однако нами были также получены пленки DBPI с блочной структурой, имеющей характерные размеры порядка $d$. Исследования диэлектрических свойств пленок показали, что размеры блочной структуры слабо влияют на поведение слабосигнального отклика, который в области фазового перехода характеризуется сильной аномалией емкости структуры при $T$ = $T_c$ и стеклоподобным поведением $C$ и $\operatorname{tg}\delta$ в области температур 120–200 K. В отличие от этого низкочастотный сильносигнальный диэлектрический отклик (петли диэлектрического гистерезиса) в структурах с мелкими блоками существенно отличается от наблюдаемого для крупноблочных структур. Различие в частотном поведении петель гистерезиса в крупно- и мелкоблочных структурах связывается с ограничением движения доменных стенок в случае мелких блоков.