Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 10, страницы 2062–2065 (Mi ftt12176)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика поверхности, тонкие пленки

Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией

М. В. Дорохинa, Д. А. Павловb, А. И. Бобровb, Ю. А. Даниловa, П. Б. Дёминаa, Б. Н. Звонковa, А. В. Здоровейщевa, А. В. Кудринb, Н. В. Малехоноваb, Е. И. Малышеваa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Продемонстрирована возможность эпитаксиального выращивания слоев ферромагнитного галлида марганца Mn$_3$Ga$_5$ на поверхности (100) GaAs. Ферромагнитные свойства эпитаксиального Mn$_3$Ga$_5$ при комнатной температуре оценивались исходя из измерений аномального эффекта Холла. Сформирована диодная структура на основе контакта Mn$_3$Ga$_5$/GaAs, проведено измерение низкотемпературной электролюминесценции такого диода. Возможность получения электролюминесценции и высокое кристаллическое совершенство исследованных структур свидетельствуют о перспективах их применения в светоизлучающих диодах со спиновой инжекцией.
Поступила в редакцию: 21.04.2014
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2014, Volume 56, Issue 10, Pages 2131–2134
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783414100102
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева, “Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2062–2065; Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2131–2134
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorPavBob14}
\by М.~В.~Дорохин, Д.~А.~Павлов, А.~И.~Бобров, Ю.~А.~Данилов, П.~Б.~Дёмина, Б.~Н.~Звонков, А.~В.~Здоровейщев, А.~В.~Кудрин, Н.~В.~Малехонова, Е.~И.~Малышева
\paper Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
\jour Физика твердого тела
\yr 2014
\vol 56
\issue 10
\pages 2062--2065
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12176}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019232}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2014
\vol 56
\issue 10
\pages 2131--2134
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783414100102}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12176
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i10/p2062
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025