|
|
Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 10, страницы 2062–2065
(Mi ftt12176)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика поверхности, тонкие пленки
Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
М. В. Дорохинa, Д. А. Павловb, А. И. Бобровb, Ю. А. Даниловa, П. Б. Дёминаa, Б. Н. Звонковa, А. В. Здоровейщевa, А. В. Кудринb, Н. В. Малехоноваb, Е. И. Малышеваa a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Продемонстрирована возможность эпитаксиального выращивания слоев ферромагнитного галлида марганца Mn$_3$Ga$_5$ на поверхности (100) GaAs. Ферромагнитные свойства эпитаксиального Mn$_3$Ga$_5$ при комнатной температуре оценивались исходя из измерений аномального эффекта Холла. Сформирована диодная структура на основе контакта Mn$_3$Ga$_5$/GaAs, проведено измерение низкотемпературной электролюминесценции такого диода. Возможность получения электролюминесценции и высокое кристаллическое совершенство исследованных структур свидетельствуют о перспективах их применения в светоизлучающих диодах со спиновой инжекцией.
Поступила в редакцию: 21.04.2014
Образец цитирования:
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева, “Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2062–2065; Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2131–2134
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12176 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v56/i10/p2062
|
|