Влияние электрического поля на размытый фазовый переход в кристаллах PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$

Исследовано влияние постоянного электрического поля (0 $<E\le$ 3 kV/cm) на размытие фазового перехода и экспоненту Кюри–Вейсса $(\gamma)$ в двух кристаллах PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$, лежащих на разном расстоянии от морфотропной фазовой границы. Универсальный закон Кюри–Вейсса использовался для аппроксимации температурных зависимостей диэлектрической проницаемости. Показано, что чем дальше кристалл находится от морфотропной фазовой границы, тем больше величина gamma и, следовательно, больше размыт фазовый переход (в нулевом поле $\gamma$ = 1.67 и 1.49 для PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–28PbTiO$_3$ и PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$ соответственно). Обнаружено, что небольшое электрическое поле до 2–3 kV/cm в случае более размытого фазового перехода практически не влияет на величину $\gamma$, в то время как в кристалле PbIn$_{1/2}$Nb$_{1/2}$O$_3$–37PbTiO$_3$ $\gamma$ уменьшается с увеличением напряженности электрического поля, приближаясь к величине $\gamma$ = 1, характерной для нормального сегнетоэлектрика.