Структура и состав пленок карбида кремния, синтезированных методом ионной имплантации

Посредством математического разложения ИК-спектра поглощения, полученного от слоя Si после имплантации ионов С$^+$ с энергией 10 или 40 keV или от однородной пленки SiC$_{0.7}$, показано, что доли слабых удлиненных Si–C-связей аморфной фазы, сильных укороченных Si–C-связей на поверхности мелких нанокристаллов, тетраэдрических Si–C-связей кристаллической фазы (степень кристалличности) после высокотемпературного отжига (1250–1400$^\circ$C) слоев составляют 29/29/42, 22/7/71 и 21/31/48%, соответственно. Методом рентгеновской рефлектометрии и моделированием с помощью программы Release в пленке идентифицирована система слоев SiC$_{2.0}$, SiO$_2$, SiC$_{0.8}$, SiC$_{0.6}$ на подложке Si. Данные рефлектометрии о флуктуации интенсивности отражений в области главного максимума объясняются вариацией плотности по глубине слоя с гауссовым распределением атомов углерода от 2.55 g/cm$^3$ (слой SiС$_{0.25}$) и 2.90 g/cm$^3$ (SiC$_{0.65}$) до 3.29 g/cm$^3$ (SiC$_{1.36}$).