Эффект инжекционного обеднения в $p$–$n$-гетероструктурах на основе твердых растворов (Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$, (Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$, (InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$, CdTe$_{1-x}$S$_x$

Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур $n$-Si–$p$-(Si$_2$)$_{1-x-y}$(Ge$_2$)$_x$(GaAs)$_y$ (0 $\le x\le$ 0.91, 0$\le y\le$ 0.94), $p$–Si-$n$-(Si$_2$)$_{1-x}$(CdS)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.01), $n$-GaAs–$p$-(InSb)$_{1-x}$(Sn$_2$)$_x$ (0 $\le x\le$ 0.05), $n$-CdS–$p$-CdTe. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением $V\approx V_0\exp(Jad)$. Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения.