Диэлектрические и структурные свойства сегнетоэлектрических пленок бетаинарсената

Сегнетоэлектрические пленки бетаинарсената и частично дейтерированного бетаинарсената выращены методом испарения на подложках LiNbO$_3$, $\alpha$-Al$_2$O$_3$, NdGaO$_3$ с предварительно нанесенной на них системой встречно-штыревых электродов, а также на подложке Al/стекло. Приводятся результаты изучения блочной структуры пленок в поляризационном микроскопе, их кристаллической структуры рентгенодифракционными методами и диэлектрических свойств при ориентации измерительного поля в плоскости и перпендикулярно плоскости пленки. Переход пленок в сегнетоэлектрическое состояние при $T=T_c$ сопровождается аномалиями емкости структуры, увеличением диэлектрических потерь и появлением петель диэлектрического гистерезиса. Рост пленок из раствора бетаинарсената в тяжелой воде приводит к повышению $T_c$ от $T_c$ = 119 K в пленках без дейтерия до $T_c$ = 149 K, соответствующей степени дейтерирования примерно 60–70%. Проводится сравнение диэлектрических и структурных свойств полученных пленок с монокристаллами бетаинарсената и ранее исследованными пленками бетаинфосфита и глицинфосфита.