Влияние разогрева носителей на фотоэдс в полевом транзисторе

В рамках кинетического уравнения Больцмана рассчитаны постоянный электрический ток и ЭДС в двумерной системе, обусловленные высокочастотным полем электромагнитной волны или электрическим полем плазмонной волны. Установлено, что генерируемый ток состоит из двух вкладов, один из которых пропорционален вещественной части проекции волнового вектора возбуждающей волны на плоскость интерфейсов и представляет собой эффект увлечения электронов, а другой вклад пропорционален коэффициенту затухания волны в плоскости интерфейсов. Показано, что главной причиной появления второго вклада является создаваемый волной неоднородный нагрев электронов, контролируемый энергетическим временем релаксации электронного газа. В полевом транзисторе разогревный механизм формирования электрического тока может заметно превышать ток, рассчитанный в пренебрежении нагрева.