Молекулярно-динамическое моделирование гетероэпитаксиального роста пленок твердого раствора Cu–Pd на (001) Pd

Методом молекулярно-динамического моделирования изучены закономерности гетероэпитаксиального роста пленок твердого раствора Cu–Pd на поверхности (001) кристалла Pd при температурах 600 и 1000 K. Процесс конденсации из двухкомпонентного потока моделировался последовательным нанесением атомов Cu и Pd с концентрацией 60 at.% Cu, 40 at.% Pd порциями в 0.1 ML, что соответствует эффективной скорости напыления $\sim$3.3 $\cdot$ 10$^9$ ML/s. Установлено, что имеет место когерентное сопряжение кристаллических решеток пленки и подложки. В процессе роста происходит формирование промежуточной монослойной твердорастворной фазы: при температуре 600 K фаза образуется в первом слое пленки, при 1000 K – в верхнем слое подложки.