Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 2, страницы 260–264 (Mi ftt12312)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводники

Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием

В. Ф. Агекянa, Л. Е. Воробьевb, Г. А. Мелентьевb, H. Nykänenc, А. Ю. Серовa, S. Suihkonenc, Н. Г. Философовa, В. А. Шалыгинb

a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
c Aalto University, School of Electrical Engineering, Espoo, Finland
PDF полного текста (558 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследованы оптические спектры и электропроводность легированных кремнием эпитаксиальных слоев нитрида галлия с концентрациями нескомпенсированных доноров $N_D-N_A$ до 4.8 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$ при $T\approx$ 5 K. Вольт-амперные характеристики показывают, что при уровне легирования $\sim$3 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$ происходит образование примесной зоны, а увеличение концентрации доноров еще на порядок приводит к слиянию примесной зоны с зоной проводимости. Трансформация экситонных спектров отражения свидетельствует о том, что образование примесной зоны приводит к эффективному экранированию экситонов при низких температурах. В образце с $N_D-N_A$ = 3.4 $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$ спектры люминесценции еще формируются излучением свободных и связанных экситонов. В образце с $N_D-N_A$ = 4.8 $\cdot$ 10$^{19}$ cm$^{-3}$ кулоновское взаимодействие уже полностью подавлено, и спектр люминесценции состоит из полос, соответствующих излучательным переходам примесная зона-валентная зона и зона проводимости-валентная зона.
Поступила в редакцию: 05.07.2012
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2013, Volume 55, Issue 2, Pages 296–300
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783413020029
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Агекян, Л. Е. Воробьев, Г. А. Мелентьев, H. Nykänen, А. Ю. Серов, S. Suihkonen, Н. Г. Философов, В. А. Шалыгин, “Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием”, Физика твердого тела, 55:2 (2013), 260–264; Phys. Solid State, 55:2 (2013), 296–300
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeVorMel13}
\by В.~Ф.~Агекян, Л.~Е.~Воробьев, Г.~А.~Мелентьев, H.~Nyk\"anen, А.~Ю.~Серов, S.~Suihkonen, Н.~Г.~Философов, В.~А.~Шалыгин
\paper Экситонные спектры и электропроводность эпитаксиальных слоев GaN, легированных кремнием
\jour Физика твердого тела
\yr 2013
\vol 55
\issue 2
\pages 260--264
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12312}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20322740}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2013
\vol 55
\issue 2
\pages 296--300
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783413020029}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12312
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i2/p260
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025