Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, активированным Er и Yb

Изучено влияние предварительного окислительного отжига пористого кремния (ПК) на фотолюминесценцию (ФЛ) при лазерной накачке на длинах волн 532 и 980 nm, ЭПР и поперечный транспорт тока структур на основе ПК с вплавленным вольфрам-теллуритным стеклом (ВТС), легированным Er и Yb. Показано, что такой отжиг и наличие нанокристаллов кремния ($nc$-Si) в ПК способствуют многократному усилению ФЛ как ионов Er в ВТС, так и $nc$-Si в ПК на длинах волн 750 и 1540 nm соответственно. При вплавлении ВТС в ПК подавляются Pb-центры безызлучательной рекомбинации, сохраняется дискретное туннелирование электронов сквозь $nc$-Si-гранулы в ПК.