Особенности формирования массива кластеров серебра из тонкой пленки на поверхности SiO$_2$

Изучен распад тонких пленок серебра на кластеры на поверхности SiO$_2$ при термическом нагреве в вакууме. Построены экспериментальные гистограммы распределения кластеров, сформированных из пленок различной толщины, по их диаметрам. Установлено, что при распаде пленок толщиной до 10 nm формируются монокластеры, имеющие один предпочтительный диаметр, находящийся в диапазоне от 15 до 20 nm. При более длительном отжиге массив практически не изменяется во времени, предпочтительный диаметр сохраняется. Из пленок толщиной от 10 до 130 nm формируется массив кластеров с двумя предпочтительными диаметрами, содержащий монокластеры (40–80 nm) и глобулярные кластеры (400 nm). С увеличением времени отжига замечено, что массив укрупняется за счет процесса коалесценции и постепенно испаряется, при этом предпочтительные диаметры кластеров остаются в прежнем диапазоне.