Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 3, страницы 591–601 (Mi ftt12367)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика поверхности, тонкие пленки

Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si

Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Ю. М. Задиранов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Возможности комплексной диагностики многослойных периодических систем, используемых для создания зеркал жесткого ультрафиолетового диапазона, продемонстрированы на примере структур Mo/Si, выращенных методом магнетронного распыления при различных технологических условиях. Результатами комплексного исследования явились взаимосогласованные данные о толщинах и кристаллической структуре слоев, а также о качестве интерфейсов. На основе данных атомно-силовой микроскопии было проведено сопоставление шероховатости поверхностей подложек и выращенных на них многослойных систем. Анализ функций спектральной плотности мощности показал, что низкочастотная шероховатость наследуется от подложки, тогда как высокочастотная может быть сглажена в процессе роста. Методом рентгеновской дифрактометрии с использованием моды тонких пленок было показано, что исследованные образцы обладают различной кристаллической структурой слоев Mo от аморфной и поликристаллической до тестурированной в направлении [110]. Анализ данных просвечивающей электронной микроскопии подтвердил различие степени кристалличности Mo-слоев. Методом рентгеновской рефлектометрии были определены толщины отдельных слоев, период и невоспроизводимость толщин и периода. Была оценена среднеквадратичная амплитуда шероховатости интерфейсов и показано существование переходных слоев, формирующихся главным образом за счет Si слоя. В результате на основе проведенного исследования была предложена стратегия анализа многослойных периодических систем с наноразмерными слоями.
Поступила в редакцию: 30.07.2012
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2013, Volume 55, Issue 3, Pages 648–658
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783413030293
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Ю. М. Задиранов, “Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si”, Физика твердого тела, 55:3 (2013), 591–601; Phys. Solid State, 55:3 (2013), 648–658
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ValBaiBru13}
\by Г.~А.~Вальковский, М.~В.~Байдакова, П.~Н.~Брунков, С.~Г.~Конников, А.~А.~Ситникова, М.~А.~Яговкина, Ю.~М.~Задиранов
\paper Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si
\jour Физика твердого тела
\yr 2013
\vol 55
\issue 3
\pages 591--601
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12367}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20322795}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2013
\vol 55
\issue 3
\pages 648--658
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783413030293}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12367
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i3/p591
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025