|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 4, страницы 639–644
(Mi ftt12374)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Полупроводники
“Аномальный” спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия
А. С. Батыревa, Р. А. Бисенгалиевa, Б. В. Новиковb a Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы изменения спектров низкотемпературной ($T$ = 77 K) краевой фотопроводимости кристаллов CdS, вызванные действием на поверхность образца внешнего поперечного электрического поля. В ряде кристаллов обнаружен “аномальный” характер этих изменений, анализ которого позволил установить существенную роль приповерхностных эффектов экранирования электрон-дырочного взаимодействия в формировании спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS с технологическим избытком кадмия вблизи поверхности. Показано, что обедняющее (обогащающее) поперечное поле приводит к ослаблению (усилению) эффектов экранирования в спектрах фотопроводимости CdS.
Поступила в редакцию: 30.07.2012
Образец цитирования:
А. С. Батырев, Р. А. Бисенгалиев, Б. В. Новиков, ““Аномальный” спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия”, Физика твердого тела, 55:4 (2013), 639–644; Phys. Solid State, 55:4 (2013), 696–701
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12374 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i4/p639
|
|