Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 4, страницы 645–649 (Mi ftt12375)  
Полупроводники

Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах

И. П. Сошниковabc, В. А. Петровa, Г. Э. Цырлинabc, Ю. Б. Самсоненкоabc, А. Д. Буравлевab, Ю. М. Задирановb, Н. Д. Ильинскаяb, С. И. Трошковb

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (952 kB)
Аннотация: Показана возможность эпитаксиального формирования массивов нитевидных нанокристаллов на наклонных гранях линейных мезаструктур. Исследованы структурные свойства нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на гранях $(33\bar 1)$, $(11\bar 7)$ и (113) образцов с кристаллографической ориентацией подложки (100). Установлена связь между структурными параметрами нитевидных нанокристаллов и геометрической ориентацией ростовой поверхности относительно направлений $\langle$111$\rangle$ и плоскости подложки.
Поступила в редакцию: 27.09.2012
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2013, Volume 55, Issue 4, Pages 702–706
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378341304029X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. П. Сошников, В. А. Петров, Г. Э. Цырлин, Ю. Б. Самсоненко, А. Д. Буравлев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, “Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах”, Физика твердого тела, 55:4 (2013), 645–649; Phys. Solid State, 55:4 (2013), 702–706
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SotPetCir13}
\by И.~П.~Сошников, В.~А.~Петров, Г.~Э.~Цырлин, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~Д.~Буравлев, Ю.~М.~Задиранов, Н.~Д.~Ильинская, С.~И.~Трошков
\paper Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах
\jour Физика твердого тела
\yr 2013
\vol 55
\issue 4
\pages 645--649
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12375}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20322803}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2013
\vol 55
\issue 4
\pages 702--706
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378341304029X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12375
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i4/p645
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025