Электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах

Исследованы транспортные и магнитные свойства контактов, созданных в тонких пленках La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$, эпитаксиально выращенных на подложках c бикристаллической границей. Использовались наклонные бикристаллические подложки из галлата неодима, в которых плоскости (110)NdGaO$_3$ наклонены на углы 12 и 38$^\circ$. Измерены и проанализированы температурные зависимости сопротивления, магнитосопротивления и дифференциальной проводимости контактов при различном напряжении. Обнаружено, что магнитосопротивление и сопротивление контакта существенно увеличиваются с ростом угла разориентации, хотя разориентация легких осей намагниченностей существенно не меняется. Отношение спин-зависимого и спин-независимого вкладов в проводимость бикристаллического контакта увеличивается почти на порядок при изменении угла от 12 до 38$^\circ$. Магнитосопротивление контакта увеличивается с понижением температуры, что, скорее всего, связано с ростом магнитной поляризации электронов. Показано, что при низких (гелиевых) температурах проводимость зависит от напряжения $V$ по закону $V^{1/2}$, что свидетельствует о преобладании вклада электрон-электронного взаимодействия в сопротивление контакта. При увеличении температуры величина этого вклада уменьшается, возрастает вклад, пропорциональный $V^{3/2}$, характерный для механизма, предполагающего неупругое рассеяние спинов на антиферромагнитных поверхностных магнонах.