Cегнетоэлектрические пленки дейтерированного глицинфосфита: структура и диэлектрические свойства

Поликристаллические текстурированные пленки дейтерированного глицинфосфита, состоящие из монокристаллических блоков с латеральными размерами $\sim$(50–100)$\mu$ и толщиной $d\sim$ (1–5) $\mu$, выращены методом испарения на подложках NdGaO$_3$(001), $\alpha$-Al$_2$O$_3$ с предварительно нанесенной на них встречно-штыревой системой электродов, а также на подложках из Al. Кристаллическая ось $c^*$ $(Z)$ в блоках направлена нормально к плоскости пленки, а ось $a(X)$ и полярная ось $b(Y)$ находятся в плоскости пленки. Температурные зависимости емкости структур, измеренные с помощью встречно-штыревой системы электродов, показывают сильную диэлектрическую аномалию при переходе пленки в сегнетоэлектрическое состояние. Температура фазового перехода $T_c$ зависит от степени дейтерирования $D$ глицинфосфита. Максимальная величина $T_c$ = 275 K, полученная в исследованных структурах, соответствует степени дейтерирования $D\sim$ 50%. Частотное поведение петель диэлектрического гистерезиса в пленках глицинфосфита принципиально отличается от исследованных ранее пленок дейтерированного бетаинфосфита, что свидетельствует о различии механизмов переключения поляризации в этих структурах. Обнаружено, что после приложения к электродам постоянного смещающего напряжения петли диэлектрического гистерезиса изменяются по форме и смещаются по оси электрического поля. Сдвиг петель зависит от знака, величины и времени приложения смещающего поля. Обсуждаются возможные механизмы наведенной униполярности.