Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm

На основании результатов комплексных измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, определения концентрации и зарядового состояния легирующей примеси Sm показано, что увеличение напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения спектров микрофотолюминесценции приводят к увеличению интенсивности излучения и сдвигу максимума излучения в коротковолновую область спектра. Измерения спектров микрофотолюминесценции при варьировании напряженности внешнего магнитного поля и введении парамагнитной и магнитной примесей дают дополнительную информацию о механизмах формирования спектров излучения в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, $\langle$Eu+Sm$\rangle$. В длинноволновой области спектра в легированных Sm, Sm + Eu структурах InGaN/GaN влияние магнитного поля на вид спектров микрофотолюминесценции меньше, чем в коротковолновой области.