Электропроводность и зонная структура тонких поликристаллических пленок EuS

На основании исследования электросопротивления тонких поликристаллических пленок EuS (толщина 0.4–0.8 $\mu$m) в диапазоне температур 120–480 K предложена модель зонной структуры данного вещества. Показано, что основными примесными уровнями в тонких поликристаллических пленках EuS являются уровни, отвечающие локализованным состояниям вблизи дна зоны проводимости, а также примесные донорные уровни $E_i$, соответствующие ионам Eu, находящимся вне регулярных узлов кристаллической решетки. При этом “хвост” локализованных состояний простирается по крайней мере до энергии -0.45 eV.