|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 6, страницы 1071–1073
(Mi ftt12444)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводники
Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы
П. К. Садовскийa, А. Р. Челядинскийa, В. Б. Оджаевa, М. И. Тарасикa, А. С. Турцевичb, Ю. Б. Васильевb a Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
b ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Белоруссия
Аннотация:
В кремнии путем имплантации ионов Sb$^+$ и последующих термообработок создан слой пористого кремния в качестве геттера неконтролируемых примесей. Времена жизни неравновесных носителей заряда в пластинах кремния $n$- и $p$-типа проводимости с геттерным слоем в 3–4 раза выше, чем без геттера.
Поступила в редакцию: 06.12.2012
Образец цитирования:
П. К. Садовский, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев, М. И. Тарасик, А. С. Турцевич, Ю. Б. Васильев, “Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы”, Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1071–1073; Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1156–1158
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12444 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i6/p1071
|
|