|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 6, страницы 1074–1083
(Mi ftt12445)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Магнетизм
Структурная и магнитная неоднородность, фазовые переходы, ЯМР $^{55}$Mn и магниторезистивные свойства керамики La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-x}$Nb$_x$O$_3$
А. В. Пащенкоa, В. П. Пащенкоab, В. К. Прокопенкоa, Ю. Ф. Ревенкоa, А. С. Мазурa, В. Я. Сычеваa, В. В. Бурховецкийa, Н. Г. Кисельab, В. П. Комаровb, А. Г. Сильчеваc a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, г. Донецк
b Научно-исследовательский институт "Реактивэлектрон", Донецк
c Луганский национальный университет им. Т. Шевченко
Аннотация:
Рентгеноструктурным, резистивным, электронно-микроскопическим, магниторезистивным и магнитными ($\chi_{\mathrm{ac}}$, ЯМР $^{55}$Mn) методами исследованы керамические образцы La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-x}$Nb$_x$O$_3$ ($x$ = 0–0.3), спеченные при 1260 и 1500$^\circ$C. Согласование увеличивающегося параметра $a$ ромбоэдрической $R\bar3c$ структуры с ее средним ионным радиусом при росте $x$ и температуры спекания получено для случая, когда решетка содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные кластеры. Повышение удельного сопротивления и понижение температур фазовых переходов металл-полупроводник $T_{\mathrm{ms}}$ и ферромагнетик-парамагнетик $T_C$ при росте $x$ и температуры спекания объяснены уменьшением количества ферромагнитной фазы, изменениями соотношения Mn$^{3+}$/Mn$^{4+}$, кислородной нестехиометрии и концентрации дефектов, ослабляющих высокочастотный электронный обмен Mn$^{3+}$ $\leftrightarrow$ Mn$^{4+}$. Наличие наноструктурных кластеров подтвердил аномальный гистерезис, обусловленный однонаправленной обменной анизотропией взаимодействия между ферромагнитной матрицей и антиферромагнитным кластером с Mn$^{2+}$ и Nb$^{3+}$ в искаженных A-позициях. Широкие асимметричные спектры ЯМР $^{55}$Mn и их компьютерное разложение свидетельствуют о высокочастотном электронном обмене и неоднородности магнитных и валентных состояний марганца вследствие неравномерности распределения всех ионов и дефектов. Наблюдается два вида магниторезистивного эффекта. Один – вблизи температур фазовых переходов $T_C$ и $T_{\mathrm{ms}}$ – связан с рассеянием на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях дефектной перовскитовой структуры. Другой – в низкотемпературной области – обусловлен туннелированием на мезоструктурных межкристаллитных границах. Фазовая диаграмма характеризует сильную корреляционную взаимосвязь между составом, структурой, резистивными и магнитными свойствами в редкоземельных манганитах.
Поступила в редакцию: 07.11.2012
Образец цитирования:
А. В. Пащенко, В. П. Пащенко, В. К. Прокопенко, Ю. Ф. Ревенко, А. С. Мазур, В. Я. Сычева, В. В. Бурховецкий, Н. Г. Кисель, В. П. Комаров, А. Г. Сильчева, “Структурная и магнитная неоднородность, фазовые переходы, ЯМР $^{55}$Mn и магниторезистивные свойства керамики La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-x}$Nb$_x$O$_3$”, Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1074–1083; Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1159–1169
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12445 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i6/p1074
|
|