Компьютерное моделирование структуры и рамановских спектров политипов GaAs

С использованием квантово-механических расчетов, основанных на теории функционала локальной плотности, изучены структура, энергия образования и рамановские спектры нескольких политипов GaAs (3C, 2H, 4H и 8H). Установлено, что энергия образования гексагональных политипов увеличивается с ростом длины периодичности, приближаясь к значению, соответствующему основному состоянию – структуре 3C. Показано, что вычисленные частоты нормальных колебаний разных политипов с хорошей точностью ($\pm$6 cm$^{-1}$) согласуются со схемой сложения фононных ветвей. В рассчитанных рамановских спектрах политипов обнаружены новые линии (запрещенные в спектре 3C), которые могут служить характеристическими линиями иных политипов. Похожие линии можно обнаружить в рамановских спектрах нановискеров GaAs. Этот результат открывает новые перспективы применения рамановской спектроскопии для характеризации структуры этих нанообъектов.