Адсорбция на графене с дефектами типа вакансий: модельный подход

Рассматривается влияние дефектов решетки графена на его адсорбционные свойства. Адсорбционные свойства исследуются в рамках модели Андерсона. Неупорядоченность кристаллической решетки графена анализируется с помощью приближения $T$-матрицы. Установлено, что характерные уровни энергий дефектов лежат вблизи точки Дирака ($\pm$1 eV), так как наиболее существенное искажение спектра из-за дефектов проявляется именно вблизи этой точки. Получены аналитические выражения для плотности состояний неупорядоченного графена и атома, адсорбированного на нем. Выполнен численный расчет величины переходящего заряда в рассматриваемой системе. Полученные значения переходящего заряда находятся в неплохом согласии с результатами других исследований, где аналогичная величина была рассчитана на основе экспериментальных данных или методом функционала плотности. При отсутствии дефектов представленные результаты хорошо согласуются с результатами, получаемыми в рамках $M$-модели адсорбции (модель Давыдова). Предложена аппроксимация для плотности состояний неупорядоченного графена и функции сдвига адсорбированного атома. Такая аппроксимация позволяет получать аналитические выражения для переходящего заряда, энергии адсорбции, дипольного момента.