Теплопроводность и удельное электросопротивление объемного индия и индия, наноструктурированного в каналах пористого боросиликатного стекла

Приготовлен нанокомпозит “пористое стекло + индий”. В интервале температур 5–300 K измерены его теплопроводность $\varkappa(T)$ и удельная электропроводность $\rho(T)$, а также определены их доли, приходящиеся на наноиндий, расположенный в каналах пористого стекла диаметром 7 nm. Для сравнения в том же интервале температур измерены $\varkappa$ и $\rho$ объемного поликристаллического образца индия. Для наноиндия и объемного In проведен расчет электронных и фононных составляющих теплопроводности. Показано, что из-за появления в наноиндии граничного рассеяния электронов и фононов величина $\rho$ для него становится больше, а значение фононной теплопроводности меньше, чем у объемного In.