|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 9, страницы 1697–1705
(Mi ftt12534)
|
|
|
|
Полупроводники
Динамика процессов электрон-дырочной рекомбинации и захвата носителей в анатазе, легированном бором, углеродом или азотом
В. П. Жуковa, Е. В. Чулковb a Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, Россия
b Basque Country University,
San Sebastian, Spain
Аннотация:
Методом теории возмущений выполнено первопринципное исследование процессов безызлучательной рекомбинации электрон-дырочных пар и связывания возбужденных носителей тока с примесными атомами в анатазе, легированном бором, углеродом, азотом. В качестве возмущения использован динамически экранированный потенциал межэлектронного взаимодействия, вычисленный в приближении случайных фаз. Показано, что при легировании бором и углеродом наиболее вероятными являются обменные процессы, при которых происходит связывание электронов с примесным атомом, а при легировании азотом наиболее вероятны обменные процессы, в результате которых с примесным атомом связываются дырки. Данные процессы происходят во временном интервале менее 2 fs. Далее следуют процессы потери энергии несвязанных электронов и дырок на генерацию фононов. Для случая легирования азотом выполнена оценка времени данного процесса, около 300 fs. Для образующихся при этом экситонов произведены оценки энергии кванта люминесценции и энергии связи электронов или дырок с примесным атомом. Обсуждается соответствие расчетных данных результатам экспериментов по фотокатализу на поверхности $N$-легированного анатаза.
Поступила в редакцию: 18.02.2013
Образец цитирования:
В. П. Жуков, Е. В. Чулков, “Динамика процессов электрон-дырочной рекомбинации и захвата носителей в анатазе, легированном бором, углеродом или азотом”, Физика твердого тела, 55:9 (2013), 1697–1705; Phys. Solid State, 55:9 (2013), 1808–1816
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12534 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i9/p1697
|
|