Структура и магнетотранспортные параметры частично релаксированных и когерентно выращенных пленок La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MnO$_3$

Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние ионов средних энергий (MEIS) использованы для выявления нарушений в кристаллической решетке пленок La$_{0.67}$Ba$_{0.33}$MnO$_3$ (LBMO), возникших в процессе релаксации механических напряжений. Пленки LBMO толщиной 25 nm сформированы методом лазерного испарения. Результаты, полученные с использованием XRD и MEIS, указывают на то, что двухосно механически упруго напряженные наноразмерные слои LBMO растут когерентно на подложках LSATO, параметр кристаллической решетки последних слабо отличается от соответствующего параметра LBMO, в то время как в основном объеме манганитных пленок, выращенных на подложках LaAlO$_3$, напряжения частично релаксируют. Релаксации напряжений не происходит в прослойке LBMO толщиной порядка 4 nm, прилегающей к LaAlO$_3$. Электро- и магнетотранспортные параметры частично релаксированных пленок LBMO сравнивались с соответствующими данными, полученными для когерентно выращенных манганитных пленок с примерно таким же тетрагональным искажением элементарной ячейки ($a_\perp/a_\parallel$ = 1.024–1.030, $a_\parallel$ и $a_\perp$ – параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). При температурах существенно ниже температуры Кюри электросопротивление $\rho$ пленок LBMO следовало соотношению $\rho=\rho_0+\rho_1T^2+\rho_2(H)T^{4.5}$, коэффициенты $\rho_0$ и $\rho_1$ в котором не зависят от температуры $T$ и магнитного поля, а $\rho_2$ также не зависит от температуры, но примерно линейно уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля $H$. Коэффициент $\rho_2$ для частично релаксированных пленок LBMO существенно больше соответствующего коэффициента для когерентно выращенных манганитных слоев.