Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10, страницы 2039–2045 (Mi ftt12591)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs

М. П. Теленковab, Ю. А. Митягинa, П. Ф. Карцевc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
PDF полного текста (231 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния – как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2013, Volume 55, Issue 10, Pages 2154–2160
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783413100326
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. П. Теленков, Ю. А. Митягин, П. Ф. Карцев, “Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2039–2045; Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2154–2160
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TelMitKar13}
\by М.~П.~Теленков, Ю.~А.~Митягин, П.~Ф.~Карцев
\paper Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs
\jour Физика твердого тела
\yr 2013
\vol 55
\issue 10
\pages 2039--2045
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12591}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20323019}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2013
\vol 55
\issue 10
\pages 2154--2160
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783413100326}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12591
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i10/p2039
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025