Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si

Методом высокоразрешающей рентгеновской дифракции и рентгеновского микроанализа изучен рост МОС-гидридных эпитаксиальных гетероструктур на основе тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As, легированных высокими концентрациями атомов фосфора и кремния. Полученные эпитаксиальные пленки представляют собой пятикомпонентные твердые растворы (As$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$)$_{1-z}$Si$_z$.