Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10, страницы 2050–2053 (Mi ftt12593)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур

Т. В. Безъязычнаяa, М. В. Богдановичb, А. В. Григорьевb, В. М. Зеленковскийa, В. В. Кабановb, Д. М. Кабановb, Е. В. Лебедокb, А. Г. Рябцевc, Г. И. Рябцевb, М. А. Щемелевc

a Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск, Белоруссия
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Минск, Белоруссия
c Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
PDF полного текста (129 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Определены значения уровней энергии в запрещенной зоне In$_x$Ga$_{1-x}$As для вакансий галлия и мышьяка, а также для примеси кремния в зависимости от содержания индия. Проведена оценка влияния дефектов на величину мощности генерации и оптимальное значение коэффициента отражения выходного зеркала лазерных диодных линеек (ЛДЛ) на основе In$_{0.11}$Ga$_{0.89}$As/AlGaAs-гетероструктур. Показано, что для ЛДЛ, в активном слое которых присутствуют дефекты с глубоким положением энергетического уровня в запрещенной зоне, мощность генерации существенно ниже (при прочих равных условиях), чем для ЛДЛ, имеющих в активном слое дефекты с мелкими уровнями.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2013, Volume 55, Issue 10, Pages 2165–2168
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783413100041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, А. В. Григорьев, В. М. Зеленковский, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, “Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2050–2053; Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2165–2168
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BezBogGri13}
\by Т.~В.~Безъязычная, М.~В.~Богданович, А.~В.~Григорьев, В.~М.~Зеленковский, В.~В.~Кабанов, Д.~М.~Кабанов, Е.~В.~Лебедок, А.~Г.~Рябцев, Г.~И.~Рябцев, М.~А.~Щемелев
\paper Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур
\jour Физика твердого тела
\yr 2013
\vol 55
\issue 10
\pages 2050--2053
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt12593}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20323021}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2013
\vol 55
\issue 10
\pages 2165--2168
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783413100041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt12593
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i10/p2050
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025