|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10, страницы 2054–2057
(Mi ftt12594)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$
П. В. Серединa, Э. П. Домашевскаяa, В. Е. Терноваяa, И. Н. Арсентьевb, Д. А. Винокуровb, И. С. Тарасовb, T. Prutskijc a Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla,
Puebla, Mexico
Аннотация:
Установлено, что в спектрах фотолюминесценции высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$ наблюдается гашение основных экситонных полос тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As и возникновение других максимумов. Гашение основных экситонных полос может быть связано как с образование DX-центров, так и с изменением характера зонной структуры четверных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$.
Образец цитирования:
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, “Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2054–2057; Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2169–2172
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12594 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i10/p2054
|
|