|
|
Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 10, страницы 2058–2066
(Mi ftt12595)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"
Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
Е. В. Луценкоa, Н. В. Ржеуцкийa, В. Н. Павловскийa, Г. П. Яблонскийa, Д. В. Нечаевb, А. А. Ситниковаb, В. В. Ратниковb, Я. В. Кузнецоваb, В. Н. Жмерикb, С. В. Ивановb a Институт физики НАН Белоруссии,
Минск, Белоруссия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследовалась спонтанная и стимулированная люминесценция в AlGaN-гетероструктурах с одиночной квантовой ямой и высоким содержанием Al (до $\sim$80 mol.% в барьерных слоях), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией на $c$-сапфировых подложках. Продемонстрировано стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне спектра на длинах волн 259, 270 и 289 nm с пороговыми значениями плотности мощности возбуждения 1500, 900 и 700 kW/cm$^2$ соответственно. Показана возможность получения ТЕ-поляризации $(\mathbf{E}\perp\mathbf{c})$ как стимулированной, так и спонтанной люминесценции, вплоть до длин волн 259 nm.
Образец цитирования:
Е. В. Луценко, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, Д. В. Нечаев, А. А. Ситникова, В. В. Ратников, Я. В. Кузнецова, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, “Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2058–2066; Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2173–2181
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt12595 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v55/i10/p2058
|
|