Двойная структура волн пластической релаксации при нагружении кристаллов интенсивным ударом

На основе дислокационно-кинетических уравнений и соотношений теоретически рассматривается механизм возникновения двойной структуры волн пластической релаксации при напряжениях в ударной волне $\sigma>$ 1 GPa (скоростях пластической деформации $\dot{\varepsilon}>10^6$ s$^{-1}$). Показано, что при интенсивном ударе в кристалле возникают две волны пластической релаксации. Вначале формируется первая волна (по традиционной терминологии – упругий предвестник), связанная с генерацией геометрически необходимых (ГН) дислокаций на границе сжатой и еще не сжатой частей кристалла. Затем образуется вторая волна, связанная с размножением дислокаций на ГН-дислокациях первой волны как на дислокациях леса. В результате решения релаксационных уравнений определены зависимости напряжений от скорости пластической деформации: $\sigma\sim\dot{\varepsilon}^{1/4}$ в первой волне и $\sigma\sim\dot{\varepsilon}^{2/5}$ во второй, а также зависимости напряжений от толщины мишени $D$: $\sigma\sim D^{-1/3}$ и $\sigma\sim D^{-2/3}$ соответственно. Найденные соотношения подтверждаются имеющимися в литературе экспериментальными данными.