Фотолюминесценция и экситонные резонансы по рассеянному свету в многофононных спектрах резонансного рассеяния в сверхрешетках CdTe/ZnTe c узкими квантовыми ямами

Измерены спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в гетероструктурах и сверхрешетках CdTe/ZnTe с узкими квантовыми ямами (4.8–9.2 $\mathring{\mathrm{A}}$) в интервале температур 5–300 K. Исследованы температурные зависимости интенсивности люминесценции экситонов в изолированных квантовых ямах и определены энергии термической активации, которые связаны с эффективными барьерами для электронов и дырок. В гетероструктурах CdTe/ZnTe определены энергии связи экситона с тяжелой дыркой в зависимости от ширины квантовой ямы.
Исследованы многофононные спектры комбинационного рассеяния света, отличительными особенностями которых являются слабая интенсивность $n$LO фононных линий ZnTe ($n <$ 8), отсутствие зависимости их интенсивности от номера $n$ ($n >$ 2) и многократное участие в рассеянии акустических LA-фононов с большим волновым вектором. Результаты объясняются на основе представлений о релаксации горячих экситонов по экситонной зоне.