Влияние состава кристаллов TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний

В кристаллах TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ различного состава изучены частотные зависимости действительной $(\varepsilon')$ и мнимой $(\varepsilon'')$ составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь $(\operatorname{tg}\delta)$ и ac-проводимости $(\sigma_{\mathrm{ac}})$ в области частот $f$ = 5 $\cdot$ 10$^4$–3.5 $\cdot$ 10$^7$ Hz. Установлено, что в изученных кристаллах имеет место релаксационная дисперсия $\varepsilon'$ и $\varepsilon''$. Изучено влияние содержания эрбия в кристаллах на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость монокристаллов TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ подчинялась закономерности $\sigma_{\mathrm{ac}}\sim f^{0.8}$, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlGa$_{1-x}$Er$_x$Se$_2$ состояний, а также влияние состава кристаллов на эти параметры.