Оже-рекомбинация экситонно-примесных комплексов

Для полупроводниковых кристаллов, зонная структура которых описывается моделью Кейна, теоретически исследован процесс Оже-рекомбинации экситонов, локализованных на нейтральных донорах. Показано, что вырождение валентной зоны существенным образом сказывается на скорости Оже-процесса. Получены аналитические выражения для вероятности Оже-рекомбинации экситонов, связанных на «мелких» кулоновских донорах. Обсуждаются возникающие при этом правила отбора, которые отражают симметрию зонных состояний рекомбинирующих частиц. Для экситонов, локализованных на глубоких нейтральных донорах, выполнены теоретические оценки вероятности Оже-распада.