Влияние барьера Шоттки и фотоэмиссии электронов на пластические свойства ZnS

Изучение влияния металлических контактов на пластические свойства кристаллов ZnS показало, что возбуждение электронной подсистемы в узком приповерхностном слое может оказывать заметное влияние на условия зарождения или движения дислокаций в полупроводниковых материалах. Экспериментально установлено, что при нанесении контакта Шоттки из Сu, при котором возникает сильный изгиб зон (${\approx1}$ эВ) на границе металл–полупроводник, наблюдается существенное (${\approx30}$%) понижение предела текучести. Однако нанесение контактов Шоттки из Аl, при котором изгиб зон незначителен (${\approx0.1}$ эВ), не приводит к заметному изменению предела текучести. Аналогичная ситуация наблюдается на кристаллах с омическими контактами из сплава InGa, а также в случае нанесения Сu на «грязную» поверхность полупроводника. Эксперименты по изучению влияния фотоэмиссии носителей из металла в полупроводник на пластические свойства последнего показывают, что для фотоупрочнения кристалла достаточно генерации носителей одного знака, в частности, электронов. Обсуждается механизм обнаруженных явлений.