Штарковское уширение линий ЭПР дипольными дефектами в сегнетоэлектриках (K$_{1-x}$Li$_{x}$TaO$_{3}$ : Fe$^{3+}$)

Экспериментально и теоретически изучено влияние электрических дипольных дефектов в сегнетоэлектриках на уширение линии ЭПР парамагнитных центров, проявляющих во внешнем электрическом поле эффект Штарка второго порядка. Проведенные измерения спектров ЭПР кубических центров Fe$^{3+}$ в виртуальном сегнетоэлектрике КТаO$_{3}$ и в K$_{0.95}$Li$_{0.05}$TaO$_{3}$ в интервале температур ${T=77\div300}$ K и ${T=7}$ K показали, что ниже 120 K имеет место сильное возрастание ширины линии ЭПР при введении Li от 100 до 400 Э при ${T=77}$ K. Сопоставление экспериментальных данных с развитой в работе теорией штарковского уширения линий ЭПР электрическими полями дипольных дефектов указывает на эффективность подобного механизма уширения в сегнетоэлектрических кристаллах.