Плотность состояний в легированном полупроводнике

Вычисляется плотность состояний одночастичных токонесущих возбуждений в полупроводнике, легированном мелкими донорными примесями. Начав со случая изолированного донора, когда имеются два дискретных уровня $D^{0}$ и $D^{-}$ и параболическая зона проводимости, мы рассчитали изменение плотности состояний при увеличении концентрации доноров $N_{D}$. Расчеты основаны на ячеечном приближении для потенциала и использовании формулы Ллойда. Результаты расчетов представлены графически. Показано, что уже при малых концентрациях доноров, зона $D^{-}$ сильно перекрывается с зоной проводимости, и между этими зонами исчезает провал плотности состояний. При дальнейшем увеличении концентрации $N_{D}$ образовавшаяся зона сближается с зоной $D^{0}$ и касается ее при ${N_{D}=N_{M/4}}$.