Электронно-микроскопическое исследование дефектов, создаваемых в KCl и KBr при распаде электронных возбуждений

Облученные рентгеновской радиацией или излучением эксимерного лазера (308 нм) кристаллы КСl и КВr высокой чистоты и совершенства скалывались в вакууме и после декорирования золотом изучались под электронным микроскопом. При ${80\div300}$ K в результате рентгеновского облучения или селективного создания лазером в двухфотонном режиме анионных экситонов в КСl или разделенных электронов и дырок в КВr статистически равномерно по объему кристалла возникают дефекты, служащие затравками для роста кристаллитов золота. Изучение оптических и электрических характеристик кристаллов позволило заключить, что декорируемыми золотом радиационными дефектами являются ассоциации вакансий.