Нелинейная ВЧ прыжковая проводимость полупроводников в условиях узкого фононного горла

Показано, что в нелинейной высокочастотной (ВЧ) прыжковой проводимости полупроводников важную роль может играть явление узкого фононного горла, понижающего порог нелинейности резонансного поглощения. Оно обусловлено тем, что при достаточно низких температурах (${T\lesssim1}$ K) или высоких частотах ВЧ поля (${f=\omega/2\pi\gtrsim1}$ ГГц) время жизни неравновесных акустических фононов с частотой $\omega$ относительно нерезонансных процессов рассеяния превышает их время жизни относительно резонансного рассеяния на локальных электронных состояниях в полупроводнике. Это приводит к увеличению их чисел заполнения в резонансной области и снижению порога нелинейности.