Кластеры Te$_{n}$-центры эффективной излучательной рекомбинации в ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$)

Исследованы фотолюминесценция при 4.2 K и катодолюминесценция при ${20\div300}$ K и плотностях электронного пучка ${j=10^{-6}\div3\cdot10^{2}\,\text{А/см}^{2}}$ с энергией электронов ${50\div75}$ кэВ монокристаллов ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ (${x\leqslant0.2}$). При концентрации теллура ${10^{18}\div10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ в спектре низкотемпературной фотолюминесценции появляется ряд новых линий, которые связываются с образованием комплексов из атомов теллура и примесных атомов или собственных точечных дефектов, являющихся в кристаллах ZnSe донорами или акцепторами. При ${2\cdot10^{-2}>x>10^{-3}}$ излучение кристаллов ZnSe$_{1-x}$Te$_{x}$ определяется экситонами, локализованными на кластерах Те$_{2}$ и Те$_{e}$ с энергией связи 30 и 110 мэВ соответственно. Линия излучения с максимумом при ${\lambda_{\text{м}}\approx470}$ нм и полушириной 130 мэВ, связанная с кластерами Те$_{2}$, является наиболее интенсивной при низких температурах ($<50$ K), а линия излучения с ${\lambda_{\text{м}}\approx495}$ нм и полушириной 200 мэВ, связанная с кластерами Те$_{3}$, — при более высоких (${50\,\text{K}<T <150}$ K). В кристалле с ${x=0.02}$ при 300 K обнаружено излучение, связанное с более сложными кластерами. Измерены характерные времена излучательной рекомбинации экситонов, локализованных на кластерах (20 и 35 нc для кластеров Те$_{2}$ и Те$_{3}$ соответственно), и уровни возбуждения, при которых эти каналы рекомбинации насыщаются. Получены оценки концентрации кластеров Те$_{2}$ и Те$_{3}$ на уровне ${2\cdot10^{19}}$ и ${2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ для ${x= 0.01}$.