Электропроводность неупорядоченного поликристаллического полупроводника в переменном электрическом поле

Построена теория частотной дисперсии электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в слабых электрических полях. Показано, что зависимости Re $\sigma(\omega)$ и $\operatorname{tg}\delta(\omega)$ существенным образом определяются видом функции плотности распределения высот межкристаллических барьеров; для достаточно широкой плотности распределения решена обратная задача — определена плотность распределения высот барьеров по частотной дисперсии действительной и мнимой частей электропроводности поликристаллического полупроводника. Проведен анализ экспериментальных данных по электропроводности поликристаллической окиси цинка, и показано, что развитая теория удовлетворительно описывает основные черты эксперимента.