Край собственного поглощения приповерхностного слоя

Развита теория межзонного поглощения света приповерхностным слоем полупроводника в системе металл–диэлектрик–полупроводник с учетом кулоновского взаимодействия электрон-дырочной пары. Рассмотрен случай, когда движение электрона в приповерхностной потенциальной яме квантовано в направлении, перпендикулярном плоскости раздела полупроводник–диэлектрик, а боровский радиус образующегося двумерного экситона велик по сравнению с толщиной приповерхностного слоя. Показано, что край собственного поглощения сильно меняется в результате экситонного поглощения. Экситонные пики поглощения даже в отсутствие уширяющих механизмов несингулярны и их интенсивность убывает с ростом главного квантового числа медленнее, чем у объемных экситонов. Экситонный спектр смещен в сторону меньших частот по сравнению с частотами поглощения объемных экситонов, что делает возможным их наблюдение.