Уточнение параметров, характеризующих смещения атомов в структурах полупроводников $A^{3}B^{5}$

Структуры полупроводников $A^{3}B^{5}$ рассматриваются в рамках статистической динамической структурной модели, где конфигурация тетраэдрических связей изменяется с температурой. На основе точного измерения интенсивностей рентгеновских отражений в области ${\sin\vartheta/\lambda=1.08{-}1.38\,\text{\AA}^{-1}}$ на совершенных кристаллах соединений GaP, GaAs, InAs, InSb определены и уточнены параметры статистической модели этих структур: позиционный параметр атомов металла и константы температурных факторов атомов каждого сорта.