Ангармонизм температурного фактора и дефекты в полупроводниках с тетраэдрической структурой

Установлено, что у некоторых кристаллов с тетраэдрической структурой ход структурных факторов в области больших $\sin\vartheta/\lambda$ соответствует ангармоническому температурному фактору, включающему, помимо обычной константы, изотропные члены 4-го и 6-го порядков. Предполагается, что эффект обусловлен, скорее всего, точечными дефектами структуры. Приведены уточненные автором параметры (позиционные и температурного фактора) структур: GaSb, CdSnP$_{2}$, ZnSnAs$_{2}$.