Тонкая структура плотности состояний и парамагнитная восприимчивость переходных металлов

Показано, что сильная температурная зависимость парамагнитной восприимчивости $\chi(T)$ в переходных металлах может быть объяснена резкой зависимостью электронной плотности состояний $g(\varepsilon)$ от энергии. Конкретно рассмотрены Ti, V, Pt, Ru, Os, а также сверхпроводящие соединения типа А-15: Nb$_{3}$Sn и V$_{3}$Si. При использовании $g(\varepsilon)$ из зонных расчетов и двух параметров — обменного усиления $\alpha$ и ${\chi_{x}=\chi_{\text{орб}}+\chi_{\text{диа}}}$ удается без привлечения механизма спиновых флуктуаций хорошо объяснить экспериментальные данные для Ti, V, Pt и Nb$_{3}$Sn. Для V$_{3}$Si согласие заметно хуже, а для Ru и Os теоретический расчет оказывается не в состоянии дать объяснение эксперимента при разумных значениях параметров $\alpha$ и $\chi_{c}$.