Влияние дефектов на прохождение и аннигиляцию позитронов в кристалле LiF

Измерены профиль имплантации позитронов и угловое распределение (УР) аннигиляционных $\gamma$-квантов в кристалле LiF, подвергнутом $\beta^{+},\gamma$-облучению (источник Na$^{22}$). Коэффициент поглощения позитронов в облученном кристалле ${\alpha= 76.2\pm1.5\,\text{см}^{-1}}$. В спектре УР имеется интенсивная узкая компонента. После термического обесцвечивания кристалла ${\alpha= 91.9\pm1.5\,\text{см}^{-1}}$ вклад узкой компоненты в УР уменьшается, а ее полуширина возрастает. Измерен коэффициент подвижности позитронов: ${\mu=18\pm8\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$. Предполагается двоякая роль дефектов в судьбе позитронов в кристалле LiF: позитроны будучи свободными могут захватываться одними дефектами (катионными вакансиями) или аннигилировать при столкновении с другими ($F$-центрами). Оценена концентрация дефектов.