Аннигиляция позитронов в облученном нейтронами $\alpha$-SiC (6$H$)

Представлены результаты экспериментального исследования $2\gamma$-аннигиляции позитронов в кристаллах $\alpha$-SiC (6$H$), облученных нейтронами. Обнаружена «аномальная» зависимость полуширины кривой угловой корреляции аннигиляционных $\gamma$-квантов ($\Gamma$) — ее уменьшения от ${12\pm0.2}$ мрад до ${10.5\pm0.2}$ мрад при малых дозах облучения (${D\lesssim1\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$) с последующим восстановлением $\Gamma$ при больших потоках нейтронов, указывающая на немонотонный характер накопления РД при облучении $\alpha$-SiC (6$H$). При анализе экспериментальных результатов проводилось разложение кривых угловой корреляции на компоненты, одна из которых представляла собой сверхузкий пик, связываемый с аннигиляцией атома Ps, локализованного на разупорядоченной области (РО). В интервале температур (${20\div1300)^{\circ}}$С исследован отжиг радиационных дефектов.